Thermal Stability of B-Doped SiGe Layers Formed on Si Substrates by Si-GeH_4-B_2H_6 Molecular Beam Epitaxy

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1993-03-15

著者

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories

• KUNII YASUO

  Department of Surgery, Sendai National Hospital

• KUNII Yasuo

  NTT LSI Laboratories

• Tabe M

  Ntt Lsi Lab. Kanagawa

• KARASAWA Takeshi

  NTT LSI Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation

• Karasawa T

  Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Osaka Jpn

• Kunii Y

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

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