シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• ナノスケール極薄SOIpn接合におけるドーパントの個別性について実験結果を報告する。30K以下では、暗状態と光照射下のいずれにおいてもランダムテレグラフシグナル(RTS)を観測した。暗状態では、2つのRTS電流レベルは空乏層中のドーパントによるキャリアトラップ効果と考えられる。光照射下でのRTSは、空乏層中のドナー・アクセプタペアにおける光誘起キャリアの充放電であることが示唆された。RTSを引き起こす空乏層中のポテンシャル揺らぎは、ケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)によって観測された。これらの結果は、ナノpn接合におけるドーパントの個別性とデバイス特性に対する重要性を表している。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-02-20

著者

• ウディアルト アリエフ

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学 電子工学研究所

• ヤブロンスキー リシャード

  Institute Of Metrology And Biomedical Engineering Warsaw Univ. Of Technology

• モラル ダニエル

  静岡大学

• プルウィヤンティ スリ

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• エディアルト アリエフ

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• ノヴァック ローランド

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• ハルタント ジョコ

  Department of Electrical Engineering, Universitas Indonesia

• 田部 道晴

  静岡大学

• 水野 武志

  静岡大学

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