Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We demonstrate the single-charge sensitivity of single-hole-tunneling (SHT) transistors fabricated on Si-on-insulator (SOI) wafer with p/p^+-Si substrate. As a function of time, the current of the SHT transistor is modulated (1) in dark condition by the successive emission of holes from acceptor levels in the p-Si layer and (2) under light illumination by the storage of photo-excited electrons at the p-Si/SiO_2 interface. In dark condition, the SHT current showed step-like features that could be due to the ionization of single-acceptors. At an appropriate photon incident rate, we believe that the detection of photo-excited single-electron in the substrate could also be realized.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
-
Nuryadi Ratno
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Tare Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Tabe Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Nuryadi Ratno
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
ブルハヌディン ザイナル
静岡大学電子工学研究所
-
BURHANUDIN Zainal
Research Institue of Electronics, Shizuoka University
-
田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
-
Burhanudin Zainal
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
ブルハヌディン ザイナル
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
関連論文
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
- Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
- Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
- Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
- Photoinduced Effects on Single-Charge Tunneling in a Si Two-Dimensional Multidot Field-Effect Transistor
- Artificial Dislocation Network in Silicon-on-Insulator Layer for Single-Electron Devices
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Quantum-Confinement Effect in Ultrathin Si Layer of Silicon-on-Insulator Substrate : Semiconductors
- Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
- Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
- Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
- Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Photo-illumination effects on the Si multiple-tunnel-junction single-hole devices
- Thermal Nitridation of Si(111) Surfaces with N_2 Molecules Studied by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
- Fabrication and Electrical Characteristics of Silicon Quantum Dot Devices
- Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate
- Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- Capacitance-Voltage Study of Silicon-on-Insulator Structure with an Ultrathin Buried SiO_2 Layer Fabricated by Wafer Bonding
- Effects of Electron Tunneling into a Single-Crystalline Si Layer through an Ultrathin Buried Oxide
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性
- Si Pillar Formation and Height Countrol by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
- Si Pillar Formation and Height Control by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate
- Nanometer-Scale Local Oxidation of Si Using SiN Islands Formed in the Early Stages of Nitridation
- Multi-Charge Turnstile Operation in Random-Multidot Channel FET
- Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Thermal Agglomeration of Ultrathin Si Layer on Buried SiO_2
- Thermally-Induced Structural Changes of Ultrathin Silicon-on-Insulator Structure
- Simulation of Visible Light Induced Effects in a Tunnel Junction Array for Photonic Device Applications
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出
- Resonant Tunneling Effect in Si/SiO_2 Double Barrier Structure
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出
- Single-Electron Charging in Phosphorus Donors in Silicon Observed by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscope
- Photoirradiation Effects in a Single-Electron Tunnel Junction Array (Special Issue on Technology Challenges for Single Electron Devices)
- Photo-Irradiation Effects in Single-Electron Tunnel Junction Arrays
- Simulations of Relaxation Processes for Non-Equilibrium Electron Distributions in Two-Dimensional Tunnel Junction Arrays ( Quantum Dot Structures)
- 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Fabrication of CoSi2-Buried-Metal-Layer Si Substrates for Infrared Reflection Absorption Spectroscopy by Wafer-Bonding
- 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
- 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Photoinduced Effects on Single-Charge Tunneling in a Si Two-Dimensional Multidot Field-Effect Transistor
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
- 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測
- 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測
- Thermal Agglomeration of Ultrathin Silicon-on-Insulator Layers: Crystalline Orientation Dependence
- Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO2 Interface
- Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
- Fowler–Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
- Photon-Induced Random Telegraph Signal Due to Potential Fluctuation of a Single Donor-Acceptor Pair in Nanoscale Si p-n Junctions
- シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性(機能ナノデバイス及び関連技術)