セルバラージ ローレンス | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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概要
関連著者
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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永井 一弘
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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永井 一弘
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
著作論文
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)