鈴江 隆晃 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

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概要

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関連著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 鈴江 隆晃

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• セルバラージ ローレンス

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 寺田 豊

  名古屋工業大学

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 鈴木 暢倫

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 野村 幸靖

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• セルバラージ ローレンス

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

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著作論文

• Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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• Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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