鈴江 隆晃 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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概要
関連著者
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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寺田 豊
名古屋工業大学
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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鈴木 暢倫
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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野村 幸靖
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
著作論文
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)