スタンダードセルLSI内蔵型 256bit GaAs SRAM
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概要
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近年、大容量化が進む光通信システムなどで、クロック周波数が1GHzを越える高速かつ高機能なロジックLSIが必要とされている。このため、高速化に有利な GaAsLSI に内蔵するSRAMの開発が不可欠である。我々は、GaAsスタンダードセルLSIに内蔵する256bit SRAMを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業
-
関 昇平
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
市岡 俊彦
沖電気工業(株)研究開発本部
-
市岡 俊彦
沖電気工業
-
辻 鼓
沖電気工業(株) 半導体技術研究所
-
辻 鼓
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業(株)
-
市岡 俊彦
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
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