ED2000-94 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程
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概要
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ゲート直下にRIEダメージが導入されたInGaAs/AlGaAs PHEMTでは、ドレイン電流の低下が生じる。このデバイスに対し、室温においてゲート・ドレイン間逆方向通電を行うと、ドレイン電流が回復することが分かった。ドレイン電流の回復速度は、ゲート・ドレイン間逆方向リーク電流に強く依存している。この現象は、ゲート逆方向バイアス時のアバランシェで生成されるholeが、RIEダメージによって形成された欠陥準位において無輻射再結合を起こすことにより、再結合促進欠陥反応を生じ、欠陥準位そのものが消滅するために生じる現象であると考えられる。
- 2000-07-20
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
木村 有
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
木村 有
沖電気工業(株)
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
和泉 貴之
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業(株)
-
大島 知之
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業
-
和泉 貴之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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