ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

概要

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ダブルリセス構造を適用した0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特性のIn_xGa_<1-x>Asチャネル層In組成(X_<In>)依存性を評価した。ドレイン-ソース間破壊耐圧(BV_<ds>)は、ダブルリセス構造適用の結果、X_<In>=0.53のInP-HEMTにおいて9V以上、X_<In>=0.6、および、0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいても、4.5V、および、3V以上という良好な高耐圧特性を実現した。トランジスタのg_m、および、f_rは、X_<In>の増加に伴って確実に向上し、X_<In>=0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいて、g_m=2.18S/mm、f_r=257.8GHzという、優れた特性が得られた。本デバイスを基本素子とする、SCFLリング発振器の測定では、X_<In>の増加に伴うインバータ遅延時間(t_<pd>)の高速化が確認できた。X_<In>=0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいて、t_<pd>=4.9psec/gateという高速動作特性が得られた。また、本デバイスの雑音指数を評価したところ、38GHzにおいてNF_<min>=1dB程度という優れた低雑音特性が得られた。
2005-01-11