サブクォータミクロンゲートGaAs MESFETと微細加工技術
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概要
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位相シフトエッジラインマスク法を用いたi線ステッパポトリソとECRプラズマによる異方性エッチング技術により,微細W-Alゲートパターンを安定に形成することが可能となった。本技術により作製したゲート長0.17μmのイオン注入GaAsMESFETは、インバータ遅延時間7.6psという高速性能を示した。また、しきい値電圧等に特性バラツキも非常に小さく、プロセスの制御性が高いことがわかった。次に、このような微細デバイスのショットキ障壁高さについて解析を行った結果、ゲート長依存性、方位依存性がピエゾ効果によって説明できることがわかった。
- 1994-10-11
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