40 Gb/s 光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
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概要
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良好な高周波特性と高耐圧特性を併せ持つダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMTを開発した。リセス構造の最適化により、チャネル内最大電界強度の緩和、及びソース抵抗の低減を図ることで、g_m/g_d 比26、ソース・ドレイン間耐圧(BV_ds)4V、f_r 210 GHz、f_max 351 GHz という優れたデバイス特性を実現した。本デバイスを用いた29段リング発振器を3インチウェハ±に作製し、SCFLインバータ1段当たりの遅延時間を評価したところ、5.8±0.05 ps/gate と高速かつ均一性の良い値が得られた。同様に1/2分周器ICの試作を行い、40 GHz 以±の最高動作周波数を達成した。本デバイスは40 Gb/s 光通信用ICの基本素子として有望である。
- 2003-01-09
著者
-
星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
市岡 俊彦
沖電気工業(株)研究開発本部
-
市岡 俊彦
沖電気工業
-
大島 知之
沖電気工業(株)半導体技術研究所
-
森口 浩伸
沖電気工業 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
角谷 昌紀
沖電気工業(株)
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業 オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業株式会社オプティカルコンポーネントカンパニー
-
大島 知之
沖電気工業
-
星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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