(Ba,Rb)BiO_3を用いた三端子素子の作製と評価
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概要
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NbドープSrTiO_3基板の上にMBE法により成長した(Ba,Rb)BiO_3薄膜から、メタルマスクを用いて従来に比べてサイズの小さいIn, (Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子構造を形成した。この素子は、ベース接地、エミッタ接地いずれの場合もトランジスタ特性を示した。次に、In/(Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子素子を更に小型化するため、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、リフトオフ法による保護膜、金属薄膜パターンの形成について検討した。また、In以外の金属Al,Cr,Niと(Ba,Rb)BiO_3の接触を形成し電流-電圧特性を評価した。この結果、Ni以外の接触は整流特性を示し、三端子素子の接合として使用できる可能性がある事が分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
阿部 仁志
沖電気工業(株)
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
阿部 仁志
沖電気工業
-
槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
文 忠民
沖電気工業研究開発本部
-
川崎 良道
沖電気工業(株)
-
文 忠民
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
-
槙田 毅彦
沖電気工業
-
川崎 良道
沖電気工業
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