超電導ベース三端子素子の作製と評価
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概要
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In_2O_3薄膜をコレクタバリアとして、(Ba,Rb)BiO_3超電導薄膜をペースとした三端子素子を作製した。In_2O_3薄膜はオゾンを酸化剤とした分子線エピタキシ法で成長させた。基板温度を室温にして作製したIn_2O_3薄膜はアモルファスとして堆積する。この薄膜はn型半導体的な電気特性を示した。In_2O_3/(Ba,Rb)BiO_3の接合特性は、自然酸化膜を利用したIn/(Ba,Rb)BiO_3と比較して逆耐圧の向上したI-V特性を示した。これらの材料を用いて作製した素子の静特性では、リーク電流が小さくなり動作領域が拡がった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-24
著者
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