In/(Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子素子の作製と評価
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概要
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我々は超電導体をベースにしたIn,(Ba,Rb)BiO3/SrTiO3(Nb)構造の三端子素子を作製した。それぞれの接合について電気特性評価を行なった結果、(Ba,Rb)BiO3/SrTiO3(Nb)界面はバリア高さ〜1.8eVのショットキー接合であり、In/(Ba,Rb)BiO3界面は整流特性を持った接合となっている事がわかった。作製した三端子素子のトランジスタ特性を主に静特性について測定し、ベース膜厚〜70nmでα>0.8を実現し、この素子がトランジスタ動作した事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-22
著者
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
阿部 仁志
沖電気工業(株)
-
荻原 光彦
沖電気工業(株)デバイス技術研究所
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
阿部 仁志
沖電気工業
-
川崎 良道
沖電気工業(株)
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
荻原 光彦
沖電気工業
-
川崎 良道
沖電気工業
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