酸化物三端子素子の接合特性の評価と解析(1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
In,BRBO/STO(Nb)三端子素子のBRBO/STO(Nb)及びIn/BRBO接合に関して交流特性を測定し評価を行った。接合容量の電圧依存性(C^-2>-V特性)よりBRBO/STO(Nb)接合に関してはショットキーダイオード的な特性を示した。一方In/BRBOは整流特性を示すもののショットキーとは異なる特性を示した。測定結果より等価回路モデルの検討を行った。BRBO/STO(Nb)接合に関しては通常のショットキーダイオードの等価回路で測定結果をよく説明できる事が判った。接合の高周波特性について、サイズ効果も含めて検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-22
著者
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
阿部 仁志
沖電気工業(株)
-
荻原 光彦
沖電気工業(株)デバイス技術研究所
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
阿部 仁志
沖電気工業
-
川崎 良道
沖電気工業(株)
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
荻原 光彦
沖電気工業
-
川崎 良道
沖電気工業
関連論文
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 2C07 技術戦略マップを活用した新ビジネス創出プランニング(その2) : TAMA地区、浜松地区の実践事例を中心として(技術経営(4),一般講演,第22回年次学術大会)
- 2C06 技術戦略マップを活用した新ビジネス創出プランニング(その1)(技術経営(4),一般講演,第22回年次学術大会)
- 2A04 戦略ロードマッピング手法を結合・統合した第二世代のビジネスモデル設計手法( イノベーションを実現するためのマネジメント (4))
- 2A13 第二世代のビジネスモデル設計(企業戦略とビジネスモデル, 第20回年次学術大会講演要旨集II)
- 2I14 ビジネスモデル設計論を適用した技術取引市場モデル(企業・産業の動態)
- 2I13 JATES「ビジネスモデル設計」プレ講座を総括する(企業・産業の動態)
- 2D16 利益モデルとその新事業への応用(ビジネスモデル)
- 2D15 技術者, 研究者のためのビジネスモデル設計手法の研究(2)(ビジネスモデル)
- 2D14 技術者, 研究者のためのビジネスモデル設計手法の研究(1) : 企業価値を目指した研究開発主導のイノベーションモデル(ビジネスモデル)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- オゾンを使った分子線エピタキシー法によるBa_xRb_BiO_3薄膜の作製
- 超電導ベース三端子素子の作製と評価
- 高温超伝導フラックス・フロ-・トランジスタ (先端技術特集)
- YBCOフラックスフロートランジスタ(その1)
- 超伝導ベーストランジスタ
- In/BRBO/STO(Nb)トランジスタの静特性のベース膜厚依存性(I)
- 酸化物三端子素子の接合特性の解析(2)
- (Ba,Rb)BiO_3を用いた三端子素子の作製と評価
- In/(Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子素子の作製と評価
- 酸化物三端子素子の接合特性の評価と解析(1)
- 高エネルギー電子注入型酸化物超電導ベース3端子素子技術 (特集 超電導特集) -- (超電導素子化技術開発)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMT
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- IESデータ解析技術の研究
- 2C02 R&Dプロジェクト決定手法の一考察 : リアル・オプション適用可能性
- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- リセス構造を有するAlGaN/GaN HEMT (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ナイトライドとダイヤモンドを含む高周波デバイス)
- 有機金属気相成長YBa2Cu3O7薄膜を用いたバイクリスタル粒界接合素子 (先端技術特集)
- 2D17 ビジネスを冠した言葉の理論的体系化(ビジネスモデル)
- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 2B21 経済性価値評価におけるビジネスモデルの役割
- 研究開発成果の企業価値化:技術者のためのビジネスモデル設計論(後編)
- 研究開発成果の企業価値化:技術者のためのビジネスモデル設計論 (特集 技術マネジメント力)