寄生容量の影響を低減したパワーMESFET/Siの試作

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概要

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• GaAs/Siは大口径化が可能であり、またGaAsバルクに比べ良好な熱伝導性を有する事から、これを電子デバイスに用いる事により素子の低コスト化および特性の向上が期待される。特に、近年の移動体通信記述の発達によってGaAsデバイスの需要が急速に拡大しており、このような利点を持つGaAs/Siの実デバイスへの適用性を評価する事には大きな意義がある。結晶成長に関しては表面モフォロジー改良のための新たな成長法が提案されており、デバイス応用においてもHEMTを初めとして数多くの報告がなされている。しかしSi-GaAs界面における、Si原子のGaAs中への拡散により生じるGaAs低抵抗層の存在が寄生容量を発生させる事が指摘され、我々のHEMT/Siの評価においても特にディスクリート素子においてこれが特性を劣化させる事が明らかになった。本報告においてはこの寄生容量の評価結果と、その影響を低減させた素子構造を持つパワーMESFET/Siの試作結果について述べる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-03-27

著者

• 秋山 正博

  沖電気(株)半導体技術研究所

• 藍郷 崇

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 高山 誠治

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 後藤 光彦

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 太田 泰光

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 城生 愛次

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 立川 昭義

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 森谷 明弘

  新日本製鐡(株)エレクトロニクス研究所

• 市岡 俊彦

  沖電気(株)半導体技術研究所

• 立川 昭義

  新日本製鐵(株)技術開発本部

• 太田 泰光

  新日本製鐵(株)技術開発本部

• 藍郷 崇

  新日本製鉄 先端技研

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