AIGaInN系高出力半導体レーザ (<小特集>窒化物・青色光半導体)

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概要

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サファイア基板上に膜厚5μm以下の薄いELO-GaNを成長させ、その上にレーザ構造を作製した。活性層とp型AlGaN層の間にInGaN中間層を導入する構造を採用することで閾値電流を低減させ、スロープ効率を向上させることができた。また、キンクレベルを高めるためにリッジ脇の絶縁層に吸収層を付加した新規リッジ導波型レーザ構造を提案した。本構造の採用および、ストライプ幅最適化により80℃という高温連続動作時において100mWまでキンクフリーのレーザ特性を実現した。また、本構造のレーザの寿命特性は60℃、30mW条件下でMTTFで6000時間を実現している。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-06-08

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