[招待講演]高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaN系青紫色半導体レーザにおいて、 100mWを超える高出力化の検討を行なった。リッジストライブ構造,活性層周辺の縦構造の適正化を行なうことで、高いキンクレベルと高いCODレベルの両立に成功した。その結果,環境温度80℃においても光出力がキンクフリーで200mWまで得られ,環境温度60℃,光出力130mW,パルス駆動の条件下で500時間を超える連続動作が可能なレーザ素子を作製した。また、光出力30mW、CW駆動の条件下で、GaN系青紫色半導体レーザにおける寿命の温度依存性を測定し活性化エネルギーを見積もった結果、3.2eVという値が得られた。
- 2003-12-12
著者
-
池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
-
池田 昌夫
ソニー(株)
-
池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
-
竹谷 元伸
ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター
-
水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
池田 真朗
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
藤本 強
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
大藤 良夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
橋津 敏宏
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ
関連論文
- 青紫色レーザを搭載したBlu-ray Disc用小型光集積素子
- GaN系半導体レーザにおける結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN及びGaInN中の貫通転位(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN及びGaInN中の貫通転位(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 2p-YJ-9 InGaN多重量子井戸における局在励起子誘導放出
- II-VI系量子井戸の評価とZnMgSSe系半導体レーザ
- 高出力純青色GaN系半導体レーザの結晶欠陥と劣化現象
- 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-4-6 ディスプレイ用高出力純青色半導体レーザの開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 超高出力青紫色半導体レーザアレイ
- 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥
- AIGaInN系高出力半導体レーザ (窒化物・青色光半導体)
- 高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 高出力青紫色半導体レーザの特性向上
- 青紫色ハイパワー半導体レーザ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 青紫色ハイパワー半導体レーザ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力青紫色GaN系半導体レーザの現状 (特集:青紫色〜近赤外域半導体レーザの最新動向)
- プリンタ用青紫色2ビームレーザ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- プリンタ用青紫色2ビームレーザ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力/長寿命GaN半導体レーザー
- 青紫色GaN系半導体レーザの現状 (Imaging Today 最新の記録素子技術動向)