青紫色ハイパワー半導体レーザ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaN系半導体レーザにおいて、活性層近傍での内部吸収損失の低減に関する検討を試みた。今回、我々は、GaInN中間層とAlGaN電子障壁層の間にノンドープAlGaN層を導入した新規縦構造を採用することで、Mgドープ層での光吸収を抑制し、従来構造では25cm^-1程度であった内部吸収損失を11cm^-1まで低減することができた。その結果、さらなる低閾値電流化、高温・高出力動作時の低消費電力化に成功し、環境温度80℃、光出力30mWにおいて、動作電流58mA、動作電圧4.36V、消費電力0.25Wという極めて良好な特性を持つレーザ素子を実現した。
- 2002-06-08
著者
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池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
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池田 昌夫
ソニー(株)
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内田 史朗
ソニー白石セミコンダクタ(株)技術部
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池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
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矢吹 義文
ソニー白石セミコンダクタ(株)
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竹谷 元伸
ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター
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水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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池田 真朗
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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藤本 強
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
-
大藤 良夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター
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内田 史朗
ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター
-
水野 崇
ソニー白石セミコンダクタ
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