GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO-GaN)上に形成したGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法およびカソードルミネッセンス顕微鏡法によって評価した。ELO-GaNにおけるWing領域中の転位は、種領域におけるGaNエピ/サファイア基板界面近傍の高欠陥領域から横方向に延伸した成分を起源とする。消費電力が同等で、デバイス寿命の短いLDでは、活性領域より下部においてc面内転位が新たに発生しており、この転位がc軸方向に屈曲し、活性領域を貫通していた。この新たに発生した転位はデバイス寿命を低下させる一因となる。
- 2002-06-08
著者
-
冨谷 茂隆
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
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冨谷 茂隆
ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター
-
池田 昌夫
ソニー白石セミコンダクタ株式会社
-
池田 昌夫
ソニー(株)
-
池田 昌夫
ソニー株式会社先端マテリアル研究所
-
竹谷 元伸
ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター
-
日野 智公
ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー
-
宮嶋 孝夫
ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー
-
宮嶋 孝夫
ソニー(株)tsセンター
-
日野 智公
ソニー(株)tsセンター
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