冨谷 茂隆 | ソニー株式会社先端マテリアル研究所

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概要

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関連著者

• 冨谷 茂隆

  ソニー株式会社先端マテリアル研究所

• 池田 昌夫

  ソニー株式会社先端マテリアル研究所

• 池田 昌夫

  ソニー(株)

• 冨谷 茂隆

  ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター

• 後藤 修

  ソニー(株)

• 後藤 修

  京都大学大学院・情報学研究科・知能情報学専攻

• 後藤 修

  沖電気工業(株)半導体技術研究所

• 後藤 修

  慶應義塾大学病院腫瘍センター

• 池田 昌夫

  ソニー白石セミコンダクタ株式会社

• 冨谷 茂隆

  ソニー株式会社

• 竹谷 元伸

  ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター

• 田中 隆之

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 太田 誠

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 大泉 善嗣

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 保科 幸男

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 矢吹 義文

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 後藤 修

  ソニー白石セミコンダクタ(株) 設計生産技術部

• 池田 昌夫

  ソニー株式会社中央研究所

• 庄司 美和子

  ソニー白石セミコンダクタ(株)

• 日野 智公

  ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー

• 宮嶋 孝夫

  ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー

• 宮嶋 孝夫

  ソニー(株)tsセンター

• 日野 智公

  ソニー(株)tsセンター

• 後藤 修

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 矢吹 義文

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 浅井 正

  ソニーイーエムシーエス(株)東海テック

• 水口 由紀子

  ソニー株式会社マテリアル研究所材料解析センター

• 村上 洋介

  ソニー株式会社マテリアル研究所材料解析センター

• 朝妻 庸紀

  ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部

• 簗嶋 克典

  ソニー(株)CNC CT開発本部

• 小林 俊雅

  ソニー(株)CNC CT開発本部

• 気賀 智也

  ソニーイーエムシーエス(株)東海テック

• 簗嶋 克典

  ソニー(株)tsセンター

• 朝妻 庸紀

  ソニー(株)

• 朝妻 庸紀

  ソニー(株)tsセンター

• 小林 俊雅

  ソニー(株)tsセンター

• 菅沼 克昭

  大阪大学産業科学研究所

• 気賀 智也

  ソニーイーエムシーエス株式会社幸田テック

• 田中 伸史

  ソニー株式会社マテリアル研究所材料解析センター

• 水口 由紀子

  ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター

• 村上 洋介

  ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター

• 田中 伸史

  ソニー(株)マテリアル研究所 材料解析センター

• 船戸 健次

  ソニー(株) マテリアル研究所

• 水口 由紀子

  ソニー株式会社先端マテリアル研究所:大阪大学産業科学研究所

• 村上 洋介

  ソニー株式会社先端マテリアル研究所

• 浅井 正

  ソニーイーエムシーエス株式会社コア技術部門

• 気賀 智也

  ソニーイーエムシーエス株式会社コア技術部門

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著作論文

• GaN系半導体レーザにおける結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 外部応力型ウィスカにおける現象解明と抑制技術(ウィスカ関係,高密度実装設計に要求される新しい信頼性技術)
• GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN及びGaInN中の貫通転位(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN及びGaInN中の貫通転位(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 高出力純青色GaN系半導体レーザの結晶欠陥と劣化現象
• 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• CS-4-6 ディスプレイ用高出力純青色半導体レーザの開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
• 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥
• 劣化した ZnCdSe 量子井戸構造の TEM 解析
• 機械的応力により発生するSnウィスカにおける屈曲・湾曲部の形成と結晶方位の関係性(高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文)

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