CuGaS_2の選択成長とその表面形態の観察 : 気相成長
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概要
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Selective area growth (SAG) of CuGaS_2 using SiO_2 mask via open-tube iodine transport method has been studied. Selectivity of SAG using a SiO_2 mask with dot windows was good. Crystallographic faces observed in the SAG crystal were investigated. They are {112} and {011}, and the faces are facets observed in of CVT-grown CuGaS_2.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
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