CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製
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概要
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転位の減少および結晶性の向上を目的として開管式ヨウ素輸送法により、SiO_2マスクによるCuGaS_2の選択成長を行った。ドットパターンの選択成長では、選択性はヨウ素濃度に依存した。成長結晶は、CVTによるCuGaS_2と同様の{112}、{011}ファセットが認められた。またライン&スペースパターンでは、ヨウ素濃度とマスクパターンの方向を最適化することで、選択横方向成長によりSiO_2埋め込み構造が得られた。この結晶のX線ロッキングカーブによる半値幅は、CVT基板とほぼ同等であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
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