デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電流コラプスの振舞いに与える影響を評価した。オフ状態でのゲート電圧ストレスをメインゲートとドレイン電極の間のアディショナルゲートに印加した時、オン抵抗(R_<ON>)の顕著な増大が確認された。一方、メインゲートへのオフ状態ストレスはR_<ON>の増加と同様にドレイン飽和電流の減少を引き起こした。AlGaN表面の電界計算によって、ドレインとソース側のゲート端に電界集中が存在し、それがAlGaN表面の両側のゲート端領域に電子蓄積を引き起こす可能性があることが示された。これらの結果は、オフ状態ゲートストレスがゲート端からドレインとソースの両方向へ"仮想ゲード"を広げていることを指し示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-06
著者
-
田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
田島 正文
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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