AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaN HEMT表面に形成したMOS構造を利用して、絶縁膜/AlGaN界面準位を評価した。バンドギャップ以下のエネルギーを持つ単色光を照射してC-V特性を解析する手法を提案し、Al_2O_3/AlGaN界面の禁制帯中央近傍に1-2x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>の電子準位が存在することを明らかにした。次に、オフ状態ストレスによるAlGaNの表面帯電と電流減少の関係を、デュアルゲート構造を用いて評価した。電界集中によりゲート両端でAlGaN表面への電子注入が生じ、仮想ゲート作用のためソースおよびドレイン側のアクセス抵抗の増加を招くことを見いだした。Offバイアスストレスでは、ゲート両端の表面チャージによる仮想ゲートを考える必要性がある。
- 2011-07-22
著者
-
田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
田島 正文
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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