掘 祐臣 | 北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Yatabe Zenji

  Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan

• 谷田部 然治

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 馬 万程

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 田島 正文

  北海道大学

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
• ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
• プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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