ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl_2/BCl_3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた.ドライエッチ後、原子層堆積法を用いてAlGaN/GaN表面にAl_2O_3層を堆積し、絶縁ゲート構造を作製した.その界面特性を容量-電圧(C-V)、及び光支援C-V法により評価した.光照射に起因するしきい値電圧平行シフト量がICPエッチング後には大きくなっていることから、ICPエッチングによりAl_2O_3/AlGaN界面準位密度が増加することが明らかになった.またX線光電子分光法(XPS)による評価から、界面準位密度増加の原因はドライエッチング後のAlGaN表面の窒素欠乏である可能性が示唆された.
- 2012-05-10
著者
-
Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金 聖植
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
金 聖植
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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