電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (シリコン材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-05-16
著者
-
Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
-
谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
-
谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
関連論文
- 3P215 複雑系化学物理XXXVIII : サイン振動ズリ流動における多層球状構造へのラメラ-ベシクル転移(細胞生物的課題(接着,運動骨格,伝達,膜),第48回日本生物物理学会年会)
- 3P-147 5種類の白色腐朽菌を用いたゲーム関係論の構築(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- 3P-145 ツリガネムシ収縮過程の高速ビデオカメラによる研究(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- 2P-161 高分子溶液中における生物プローブの有効性について(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (電子デバイス)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (電子部品・材料)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (シリコン材料・デバイス)
- Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)