ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

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概要

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ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH_4/H_2/N_2/ArガスによるECR支援プラズマ法とCl_2/BCl_3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた。ドライエッチング後は表面の化学結合状態が乱れ、その後のMOS構造形成により、1xl0^<12>cm^<-2>eV^<-1>以上の密度の界面準位が生成されることが明らかになった。特にECR支援プラズマプロセス試料では高密度の界面準位が観測された400℃の熱処理により界面特性は回復し、ICP支援プラズマプロセス試料では、5x10^<11>cm^<-2>eV^<-1>程度まで密度が低減した。一方、AlGaN/GaN構造のAlGaN表面をエッチングした場合、アニール後でも1x10^<12>cm^<-2>eV^<-1>以上のMOS界面準位が観測された。
2011-11-10

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