Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices
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概要
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We investigated the optical absorption properties of InP porous structures formed by the electrochemical process using photoelectric conversion (PC) devices formed on p-n junction substrates. The photocurrent measurements revealed that the current from PC devices changed in response to the incident light power and the thickness of the top layer on the p-n interface. Since the photocarriers contributing to the observed photocurrents are excited by the photons reaching the p-n interface through the top layer, the photocurrents give us information on the optical absorption properties of the top layer. The photocurrents observed on a porous device with a porous structure in the top layer were lower than that of a non-porous device, indicating that the absorption properties of InP were enhanced after the formation of porous structures. This phenomenon can be explained in terms of absorption coefficient, α, increased by the light scattering and the sub-bandgap absorption in the porous layer. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
- 2013-08-15
著者
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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