Yatabe Zenji | Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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概要
- 同名の論文著者
- Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japanの論文著者
関連著者
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Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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馬 万程
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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神保 亮平
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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熊崎 祐介
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Kim Sungsik
Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-8628, Japan
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Hori Yujin
Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-8628, Japan
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金 聖植
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for
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Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
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Sato Taketomo
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Shiratori Yuta
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
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Sato Taketomo
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Kasai Seiya
Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Shiratori Yuta
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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Muramatsu Toru
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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Miura Kensuke
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
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Kasai Seiya
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center
著作論文
- Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure
- Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator
- Effects of Cl?-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al?O?/AlGaN/GaN Heterostructures
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (シリコン材料・デバイス)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子デバイス)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子デバイス)
- Characterization of interface states in Al2O3/AlGaN/GaN structures for improved performance of high-electron-mobility transistors
- 窒化物半導体異種接合の界面評価と制御 (特集 ワイドギャップ半導体・パワー素子の表面科学)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Effects of Cl_2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN Heterostructures