電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を,pn接合基板に形成した光電流測定素子を用いて評価した.得られる光電流値は構造に強く依存し,多孔質構造はプレーナ構造と比べて大きな光吸収特性を示すことを見いだした.また,多孔質構造を基盤とする光電変換素子を提案し,その基本特性を評価した.光照射下における電流-電圧特性から,多孔質素子はプレーナ型素子と比べて大きな光電流と高い光応答特性を示すことを明らかにした.
- 2013-05-09
著者
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
-
谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
-
神保 亮平
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
熊崎 祐介
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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