Effects of Cl?-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al?O?/AlGaN/GaN Heterostructures

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概要

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著者

• Kim Sungsik

  Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-8628, Japan

• Hori Yujin

  Graduate School of Information and Science Technology and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-8628, Japan

• Yatabe Zenji

  Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan

• Hashizume Tamotsu

  Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for

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