プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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原子層堆積法で形成したAl_2O_3膜をゲート絶縁膜としてAl_2O_3AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセス条件がAl_2O_3/AlGaN界面準位に与える影響についての評価を行った。オーミック熱処理時にSiN膜による表面保護を行うことで、熱処理によるAlGaN表面のN空孔関連の化学結合状態の乱れを抑制し、Al_2O_3/AlGaN界面準位の低減が可能であった。Al_2O_3膜堆積前にN_2Oラジカル表面処理を行うことで界面準位の制御が可能であることを、光支援C-V測定法によって確認した。N_2Oラジカル処理を行ったAl_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMTは順バイアス領域における伝達特性の改善を示し、界面準位の低減による効果であると思われる。
- 2012-11-22
著者
-
Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
-
谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Yatabe Zenji
Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan
-
馬 万程
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
谷田部 然治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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