プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 (レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-11-29
著者
関連論文
- 3P215 複雑系化学物理XXXVIII : サイン振動ズリ流動における多層球状構造へのラメラ-ベシクル転移(細胞生物的課題(接着,運動骨格,伝達,膜),第48回日本生物物理学会年会)
- 3P-147 5種類の白色腐朽菌を用いたゲーム関係論の構築(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- 3P-145 ツリガネムシ収縮過程の高速ビデオカメラによる研究(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- 2P-161 高分子溶液中における生物プローブの有効性について(細胞生物的課題(接着,運動,骨格,伝達,膜),第47回日本生物物理学会年会)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (電子デバイス)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (電子部品・材料)
- ドライエッチ面を含むAlO/AlGaN/GaN構造の界面評価 (シリコン材料・デバイス)
- Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. I: Nucleation and growth model
- Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 (電子部品・材料)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 (電子デバイス)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
- Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. II: Viscosity effect of several types of polymer additives
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (シリコン材料・デバイス)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子デバイス)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子デバイス)
- Characterization of interface states in Al2O3/AlGaN/GaN structures for improved performance of high-electron-mobility transistors
- 窒化物半導体異種接合の界面評価と制御 (特集 ワイドギャップ半導体・パワー素子の表面科学)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Effects of Cl_2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN Heterostructures