GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響

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概要

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• 2012-01-04

著者

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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