AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価 (電子デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-07-26
著者
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
関連論文
- Hydrogen sensing characteristics and mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky diodes subjected to oxygen gettering
- BDDデバイスによるアナログ論理回路
- 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価
- C_7F_を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
- Effects of Oxygen and Substrate Temperature on Properties of Amorphous Carbon Films Fabricated by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition Method
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- 単電子回路によるボルツマンマシンデバイス
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-12-3 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワークLSI
- 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- C-12-33 νMOSを用いた三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
- ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
- ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計
- C-12-46 三次元セルラーニューラルネットワーク回路
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs based Quantum Nanostructures and Devices
- X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
- コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- Arプラズマ雰囲気中でのレーザアブレーション炭素薄膜堆積
- レーザアブレーションプルーム(カーボン)の観測
- レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積
- PMOSFETのSiO_2-Si界面における燐のパイルアップモデル
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- C-11-8 SOIを用いた絶縁ゲート型MESFETの試作
- 単電子インバータ回路の設計と多値特性の導出
- C-8-2 多種の終端を持つBDDにもとづく磁束転送論理回路
- 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
- C-12-45 多値信号を利用したカラーペトリネットの回路化
- 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
- Fluorinated Carbon Films with Low Dielectric Constant Made from Novel Fluorocarbon Source Materials by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- パルス幅変調にもとづく多値論理処理
- パルス幅変調による多値論理
- 決定グラフにもとづくνMOS多値論理回路
- Reappraisal of Si-Interlayer-Induced Change of Band Discontinuity as GaAs-AlAs Heterointerface Taking Account of Delta-Doping
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
- Formation of ultrathin SiNx∕Si interface control double layer on (001) and (111) GaAs surfaces for ex situ deposition of high-k dielectrics
- Control of GaAs and InGaAs Insulator-Semiconductor and Metal-Semiconductor Interfaces by Ultrathin Molecular Beam Epitaxy Si Layers
- GaAs and In_Ga_As MIS Structures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE : Surfaces, Interfaces and Films
- In_Ga_As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO_2 Insulator (SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 1)
- Multiple-Valued Inverter Using a Single-Electron-Tunneling Circuit (Special Issue on Integrated Electronics and New System Paradigms)
- Eliciting the Potential Functions of Single-Electron Circuits (Special Issue on New Concept Device and Novel Architecture LSIs)
- MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices
- Contactless and Nondestructive Characterization of Silicon Surfaces by Capacitance-Voltage and Photoluminescence Methods
- 二分決定グラフにもとづく磁束転送論理回路 : 32ビット加算器の回路設計
- 単電子ボルツマンマシンのネットワーク動作
- 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
- 二分決定グラフ形の磁束転送論理回路
- 単電子回路による多数決論理デバイス
- 単電子回路による多数決論理デバイス
- 単電子回路による多数決論理デバイス
- 単電子回路による多数決論理デバイス
- High-k Al2O3 MOS structures with Si interface control layer formed on air-exposed GaAs and InGaAs wafers
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 (マイクロ波)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 (電子デバイス)
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価 (電子デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)