X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
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概要
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Applicability of the Si interface control layer (Si ICL)-based surface passivation to GaAs and AlGaAs (111)B surfaces was investigated. An in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) study confirmed formation of the intended passivation structure. MBE grown GaAs and AlGaAs (111)B surfaces showed strong Fermi level pinning. After Si ICL growth, large shifts of the surface Fermi level position were observed. Photoluminescence (PL) measurements were also used to examine the surfaces of AlGaAs/GaAs quantum well and quantum wire structures grown on the GaAs (111)B substrates. PL intensity reduction caused by surface states was recovered remarkably by the Si ICL–based passivation.
- EDP Sciencesの論文
著者
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長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
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Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
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Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
-
赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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