Growth kinetics and theoretical modeling of selective molecular beam epitaxy for growth of GaAs nanowires on nonplanar (001) and (111)B substrates
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概要
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The growth kinetics involved in the selective molecular beam epitaxy growth of GaAs quantum wires (QWRs) on mesa-patterned substrates is investigated in detail experimentally, and an attempt is made to model the growth theoretically, using a phenomenological continuum model. Experimentally, <-110>-oriented QWRs were grown on (001) and (113)A substrates, and <-1-12>-oriented QWRs were grown on (111)B substrates. From a detailed investigation of the growth profiles, it was found that the lateral wire width is determined by facet boundaries (FBs) within AlGaAs layers separating growth regions on top facets from those on side facets of mesa structures. Evolution of FBs during growth was complicated. For computer simulation, measured growth rates of various facets were fitted into a theoretical formula to determine the dependence of a lifetime of adatoms on the slope angle of the growing surface. The continuum model using the slope angle dependent lifetime reproduced the details of the experimentally observed growth profiles very well for growth on (001), (113)A, and (111)B substrates, including the complex evolution of facet boundaries
- American Vacuum Societyの論文
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
Tamai Isao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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