電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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ウェットプロセスによるGaN系材料の表面安定化(パッシベーション)を試みるため、グリコール水溶液中での電気化学プロセスによる酸化薄膜形成の条件を詳細に検討した。サイクリックボルタンメトリにより決定した電圧を印加する際、0Vから徐々に掃引しながら上昇させた後定電圧モードに切り替える、電圧制御酸化プロセスを採用することにより、平坦性の良い酸化膜が形成可能となった。形成された膜は酸化ガリウムの多結晶がアモルファス酸化物中に混在する組成であることが断面TEM観察により判明した。酸化中に得られた電流特性から酸化膜厚を間接的に見積もり、実測値との相関を調べることで電荷量による酸化膜厚制御を試みた。最後に、本酸化プロセスによる酸化膜のパッシベーション効果についてその有用性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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