吉田 俊幸 | 北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

スポンサーリンク

概要

• 吉田 俊幸の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻の論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 吉田 俊幸

  北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 赤澤 正道

  北海道大学

• 庄子 亮平

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻

• 赤澤 正道

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Akazawa M

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Akazawa Masamichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido

• 庄子 亮平

  北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

• 赤澤 正道

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 坂井 高正

  大日本スクリーン製造(株)

もっと見る 閉じる

著作論文

• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
• n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
• 超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価

スポンサーリンク