超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価
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概要
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超高真空対応非接触容量一電圧(C-V)法を用い、種々の手法により作製した水素終端シリコン表面の電気的特性について詳細に評価した。その結果、n-Si(111)表面ではNH_4F(4O%)溶液により、(100)表面ではHF/HCI溶液により、それぞれパッシベーション効果の高い水素終端表面が得られることが明らかとなった。しかし、これらの表面にはEv+0.65eV付近に離散的な表面準位が存在し、その密度は処理法に大きく依存することを示した。これら表面に種々の低温プロセスにより極薄絶縁膜を形成・評価したところ、ECR-N_2Oプラズマにより直接酸窒化することで、比較的良好な界面特性を有する極薄酸窒化膜が形成可能であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
吉田 俊幸
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
坂井 高正
大日本スクリーン製造(株)
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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