田村 隆博 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 田村 隆弘

  北海道大学大学院工学研究科

• 田村 隆博

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 田島 正文

  北海道大学

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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