薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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10nm以下の薄い障壁層を持つAl_<0.2>Ga_<0.8>N/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のゲート制御を目的として、Alの分子線堆積とプラズマ酸化プロセスによりAlGaN表面にAl_2O_3膜を形成し、絶縁ゲート構造を作製した。通常のNiショットキー接合ゲートHFETでは、非常に大きなゲートリークにより、正ゲートバイアス領域でのドレイン電流制御は困難であった。一方、Al_2O_3絶縁ゲートHFETでは、V_<GS>=+4Vまで良好なゲート制御が実現した。しきい電圧は約-0.3Vであり、疑似ノーマリオフ動作が確認された。これらの特性は、1次元ポテンシャルシミュレーションの結果と良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-24
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
サグァン アナンタタナサン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
アナンタタナサン サグァン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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