Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化

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概要

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• シリコン超薄膜界面制御層(ICL)と超薄膜シリコン窒化膜を用いた、化合物半導体量子井戸構造に対する新しい不活性化法についてを検討した。プロセスの最適化はIn_0.53>Ga_0.47>As上に形成した絶縁体-半導体界面のin-situ X線光電子分光法と電気的特性評価を用いて行った。最適条件では界面準位密度の最小値は10^10>cm^-2>eV^-2>にまで低減された。さらに、この不活性化法を表面近傍に形成したAl_0.3>Ga_0.7>As, GaAs量子井戸構造に応用した結果、障壁層表面の表面準位密度の低減と対応して、フォトルミネッセンス強度の回復がみられた。

• 1994-10-11

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 児玉 聡

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 小柳 諭

  北海道大学工学部

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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