GaNと関連材料の表面の性質とその制御
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概要
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MOVPEおよびMBE法で形成された窒化ガリウムとその関連材料の表面のもつ性質とその制御に関して、著者らのグループが最近行った研究の成果について述べている。種々のインシツおよびエクスシツの評価手段が用いられており、その中には、著者らのグループで開発されたUHV非接触C-V法、PL表面準位分光法、ゲートレスFETによる電流輸送評価法が含まれている。GaNの自由表面は、特定の電荷中性準位をもつU字型連続分布をもつ表面準位に、しばしば、窒素空孔に関連する離散準位が加わる形をとる。GaNのショットキ接触は、大きな逆方向電流を示し、これは、金属堆積で発生する窒素空孔に関連するドナが関与するとする新しいTSBモデルで説明できる。窒化ガリウムとその関連材料の表面パッシベーションには、ECRプラズマによるシリコン窒化膜や酸化アルミニウム膜が、かなり良い結果を与える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-25
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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