AlおよびAl_3Nb薄膜による化学的に不活性な界面の形成
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概要
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固相反応が生じない化学的に不活性な界面をAlと遷移金属の化合物であるアルミナイドをAlとの界面に用いた薄膜系について提案した。この考えをAl/Al_3Nb/SiO_2/Si系において実験的に確認した。その結果、配向したAl_3Nb(112)面上にAl(111)配向組織が得られた。さらに、Al/Al_3Nb界面では570℃までの熱処理温度で、いかなる固相反応も生じない化学的に不活性な界面となることを実証した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
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