根来 昇 | 北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

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• 同名の論文著者
• 北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 根来 昇

  北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター

• 中野 雄太

  北海道大学 工学研究科 電子情報工学専攻

• 中野 雄太

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学工学研究科

• サグァン アナンタタナサン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

著作論文

• (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
• GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価

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