アナンタタナサン サグァン | 北海道大学工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学工学研究科の論文著者

関連著者

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 根来 昇

  北海道大学工学研究科:量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学工学研究科

• サグァン アナンタタナサン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• アナンタタナサン サグァン

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

著作論文

• (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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