(4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化
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概要
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(4×6)Ga安定化面上にSi界面制御層(Si-ICL)を形成することにより、(001)GaAs表面の不活性化を行った。Si-ICLを部分窒化することにより、Si層の上部をSiN_x層に変換した後、SiO_2を不活性化膜として堆積し、MIS構造を作製した。RHEED、in-situ XPS、MISC-V法により評価した。その結果、初期表面再構成とフェルミ準位ピンニング強度に非常に強い相関があることが分かった。ピンニングの強いAs安定化面と比較して、本研究で作製した"真の"(4×6)面上にSi-ICLで不活性化を行ったSiO_2/SiN_x/Si ICL/GaAs MIS構造では、バンドギャップ全体にわたって、フェルミ準位のピンニングが緩和し、N_<SS>の最小値が4×10^<10>cm^<-2>eV^<-1>まで著しく減少したことが明らかになった、更に、このパッシベーション技術を用いて作製した絶縁ゲートFETは良好なゲート制御性を示すことを確認した。
- 2003-02-03
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
サグァン アナンタタナサン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
アナンタタナサン サグァン
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
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