Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づいたGaN系ショットキー接合のリーク機構の考察(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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任意ポテンシャル形状のショツトキー障壁における電流輸送機構の厳密なコンピュータシミュレーションにより、最近我々のグループが提案したThin Surface Barrier(TSB)モデルに基づいてGaNおよびAlGaNショットキーダイオードのリーク電流機構を考察した。様々なドナー型表面欠陥分布を用いて、GaNおよびAlGaNショットキー接合の電流-電圧-温度(I-V-T)特性の厳密なシミュレーションを行った。その結果、我々のグループの実験結果だけでなく他のグループによる報告についても順方向特性・逆方向特性、さらに温度依存性までほぼ完全に再現することができ、欠陥は表面から指数関数的減衰分布を持ち、欠陥ドナー準位の深さはGaNで0.25eV、Al_<0.15>Ga_<0.85>Nで0.37eVであることが分かった。この結果はTSBモデルに基づくトンネル電流輸送がGaN系ショットキー接合のリーク電流を支配していることを強く示唆している。
- 2004-06-04
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
量子集積エレクトロニクス研究センター
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